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<title>Articulos, Pre-prints (Centro de Estudios de Semiconductores)</title>
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<subtitle>Articulos, Pre-prints del Centro de Estudios de Semiconductores</subtitle>
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<updated>2026-04-16T02:40:30Z</updated>
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<title>Sistema de archivo y comunicación de imágenes en una unidad de imagenología</title>
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<name>Ramos Nuñez, Oswaldo</name>
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<name>Nairubia, Angel</name>
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<name>Villarreal, Manuel</name>
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<updated>2018-03-14T02:45:19Z</updated>
<published>2014-10-24T15:35:58Z</published>
<summary type="text">Sistema de archivo y comunicación de imágenes en una unidad de imagenología
Ramos Nuñez, Oswaldo; Nairubia, Angel; Villarreal, Manuel
La interpretación de imágenes obtenidas mediante las distintas prácticas diagnósticas, es la actividad principal asociada a un servicio de imagenología. A 

partir de los años 80, se ha desarrollado la idea de constituir una Unidad de Imagenología completamente digital. Este departamento emplea una red de 

comunicaciones, estaciones de visualización junto con los sistemas de almacenamiento, adquisición de imágenes y conexión remota dentro o fuera de la 

institución por médicos tratantes y médicos radiólogos e imagenólogos. Un sistema completo de este tipo se conoce como Sistema de Comunicación y Archivo 

de Imágenes del Paciente, (PACS, por sus siglas en inglés). El propósito de esta investigación es dar a conocer los componentes necesarios de este 

sistema, para un manejo óptimo de las operaciones asociadas al proceso de imágenes, el cual está integrado por procesos de la captación, el 
almacenamiento, la visualización, la estandarización y las comunicaciones y la teleradiología.
Artículo publicado en la Revista Electrónica Facultad de Ingeniería Vol. 8 No 1 2014, Universidad Valle del Momboy. Depósito Legal: PPX200602TR2436. ISSN: 1856-6936
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<title>La revolución de lo nano...</title>
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<name>Díaz, Juan Carlos</name>
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<name>Gonzalez, María Angélica</name>
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<name>Lobo, Hebert</name>
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<name>Gutiérrez, Gladys</name>
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<published>2014-10-24T15:26:36Z</published>
<summary type="text">La revolución de lo nano...
Díaz, Juan Carlos; Gonzalez, María Angélica; Villarreal, Manuel; Lobo, Hebert; Rosario, Jesús; Gutiérrez, Gladys; Briceño B., Jesús R.; Díaz, Sergio
La disminución del tamaño de un material hasta el nivel nanométrico lleva consigo una modificación muy profunda en sus propiedades que conduce a la 

aparición de una serie de comportamientos singulares que no se encuentran en el material macroscópico. La combinación del tamaño y las propiedades 

inusuales de los materiales da a lugar a una amplia variedad de aplicaciones tecnológicas en campos diversos. El avance en el estudio de los 

nanomateriales se encuentra estrechamente ligado al desarrollo de nuevas técnicas y/o métodos que nos confieran información acerca de su naturaleza. Uno 

de los factores claves en el estudio de este tipo de materiales es el conocimiento de su estructura. Conocer la estructura de un material permite 

comprender sus propiedades. Correlacionar propiedades y estructura es una herramienta esencial en el desarrollo de los nuevos materiales con las 

propiedades deseadas. En un período muy corto de tiempo y con el desarrollo de nuevas técnicas instrumentales y de simulación, lograremos lo que Feynman 
sugirió: manipularemos la materia desde los átomos y moléculas, tal como un nanolego.
Artículo publicado en la Revista Electrónica Quimera 2014; Vol. 2 Nº 1. Pp 5-13
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<title>Elaboración de un módulo experimental para el aprendizaje de los principios básicos de electricidad en la educación media general</title>
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<name>Díaz, Juan Carlos</name>
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<updated>2018-03-14T02:45:18Z</updated>
<published>2014-10-24T15:20:18Z</published>
<summary type="text">Elaboración de un módulo experimental para el aprendizaje de los principios básicos de electricidad en la educación media general
Villarreal, Manuel; Lobo, Hebert; Rosario, Jesús; Gutiérrez, Gladys; Briceño B., Jesús R.; Díaz, Juan Carlos
Se elaboró un módulo experimental prototipo sobre una lámina de baquelita doble cara y con elementos de circuito tales como resistencias, condensadores, 

diodos, potenciómetro, entre otros, con el propósito de contribuir al equipamiento de material de laboratorio de un número significativo de instituciones 

de educación media general y fortalecer los recursos didácticos aplicados actualmente para el proceso de aprendizaje de la Física, particularmente el 

aprendizaje de los principios básicos de electricidad. El estudio tuvo un carácter cuantitativo, enmarcado dentro de un diseño de campo, bajo la modalidad 

de proyecto factible. El proyecto fue implantado en veintiséis (26) instituciones de los estados Trujillo, Mérida y Barinas y cumple con las exigencias 

didácticas, técnicas y de contenido, siendo adecuado a las necesidades e intereses de los usuarios por lo que resulta una herramienta importante para 

mejorar y fortalecer el aprendizaje de los principios básicos de electricidad, de acuerdo a la opinión de especialistas y docentes consultados.
Artículo publicado en la Revista Electrónica Quimera 2014; Vol. 2 Nº 1. Pp 37 - 42.
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<title>Disminución de la dosis de radiación en el radiodiagnóstico</title>
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<name>Ramos Nuñez, Oswaldo</name>
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<updated>2018-03-14T02:45:52Z</updated>
<published>2013-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Disminución de la dosis de radiación en el radiodiagnóstico
Ramos Nuñez, Oswaldo; Villarreal, Manuel
El número de procedimientos radiológicos ha tenido un incremento acelerado durante la primera 	
década del siglo XXI, obteniendo un impacto beneficioso sobre la salud. Sin embargo, este incremento 	
conlleva a una mayor exposición a las radiaciones ionizantes. El uso de la radiación ionizante tiene un 	
riesgo inherente, aun cuando el riesgo asociado a un examen radiológico es menor comparado con el 	
riesgo natural, cualquier riesgo añadido, no importa cuán pequeño sea, es inaceptable si no se beneficia 	
el paciente. El concepto de niveles de referencia diagnósticos se debe utilizar para reducir las variaciones 	
en la práctica entre las instituciones y promover rangos óptimos, indicadores de dosis para los protocolos 	
específcos de las diferentes modalidades. En general, los principios básicos de la protección radiológica 	
(justifcación, optimización y límite de dosis) deben ser respetados para ayudar a contrarrestar el incremento injustifcado en el número de procedimientos que se realizan.
Artículo publicado en: Revista Chilena de Radiología 2013; 19(1): 05-11.
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<dc:date>2013-01-01T00:00:00Z</dc:date>
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<title>Propiedades ópticas del sistema semiconductor Cu2(1-x)AgG2xeSe3</title>
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<name>Calderón Quintero, Ernesto</name>
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<name>Villarreal, Manuel</name>
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<name>Fernández, Braulio J.</name>
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<name>Salas, Menjamin</name>
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<name>Pérez Araujo, José Fernando</name>
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<name>Nieves, Luis</name>
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<updated>2018-03-14T02:45:52Z</updated>
<published>2013-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Propiedades ópticas del sistema semiconductor Cu2(1-x)AgG2xeSe3
Calderón Quintero, Ernesto; Villarreal, Manuel; Fernández, Braulio J.; Salas, Menjamin; Pérez Araujo, José Fernando; Nieves, Luis
En este trabajo hemos investigado las propiedades ópticas en la aleación Cu2(1-x)AgG2xeSe3 midiendo el borde fundamental de absorción	
	
en función de la temperatura para la concentración  x = 0 en el rango de 10 hasta 300 K y para las concentraciones x = 0.25, 0.5, 0.75, 1 	
a temperatura ambiente. La brecha de energía para todas las concentraciones fue calculada utilizando el modelo de Elliot-Toyozawa. La 	
dependencia lineal cerca del borde fundamental confirma que todos los compuestos a las diferentes concentraciones poseen un carácter 	
semiconductor y presentan una brecha de energía directa en el infrarrojo cercano a temperatura y presión ambiente. El compuesto 	
Cu GeSe  presenta un incremento de la brecha de energía a medida que la temperatura disminuye. Este comportamiento depende 	
principalmente de tres efectos que se generan a bajas temperaturas: expansión térmica, interacción electrón-fonón y efecto del factor 	
Debye-Waller. Las curvas de la brecha de energía en función de la temperatura para este compuesto fueron ajustadas a un modelo 	
semiempírico que considera dos de los tres efectos nombrados anteriormente cuyo comportamiento es similar a los observados en los 	
semiconductores de las familias Cu-III-VI  y Cu -IV-VI . Con respecto al estudio de la variación de la brecha de energía en función de 	
las concentraciónes, x = 0, 0.25, 0.5 y 1 a temperatura y presión ambiente, no se encuentran reportes hasta el momento. El sistema Cu2(1-x)AgG2xeSe3 presenta una concavidad hacia arriba 	en la curva de 	la brecha de energía óptica en función de la concentración descrita por una ecuación tipo Eg(x)= a + bx + cx2.
Artículo publicado en: Rev. LatinAm. Metal. Mat. 2013; 33 (2): 265-271
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<title>Síntesis, caracterización estructural y magnética de la aleación CuAl0.67Cr0.33S2</title>
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<name>Villarreal, Manuel</name>
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<name>Grima Gallardo, Pedro</name>
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<name>Moreno Z., Ekadink A.</name>
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<name>Delgado, Gerzon</name>
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<name>Fernández, Jorge</name>
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<name>Silva, Pedro</name>
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<name>Villegas, José</name>
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<updated>2018-03-14T02:45:52Z</updated>
<published>2012-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Síntesis, caracterización estructural y magnética de la aleación CuAl0.67Cr0.33S2
Villarreal, Manuel; Grima Gallardo, Pedro; Quintero T., Miguel A.; Moreno Z., Ekadink A.; Delgado, Gerzon; Fernández, Jorge; Silva, Pedro; Villegas, José
En este trabajo se reporta la síntesis, la caracterización estructural y la caracterización magnética de la aleación 	
CuAl0.67 Cr0.33 S2 . La muestra fue sintetizada utilizando la técnica de fusión directa de los elementos constituyentes. El análisis químico (EDX) permitió establecer las relaciones estequiométricas para esta aleación. El patrón de difracción de 	
polvo fue indexado y la fase principal cristaliza con simetría tetragonal y parámetros de celda unidad a = 5.3410(1) Å,       	
c = 10.4154(2) Å. Este material es isomorfo con la estructura calcopirita que cristaliza en el grupo espacial /42d 	
medidas de susceptibilidad magnética y resonancia paramagnética electrónica, en función de la temperatura, fueron 	
realizadas en un magnetómetro SQUID y en un espectrómetro BRUKER EMX de banda X, respectivamente. La aleación 	
exhibe un ordenamiento Ferrimagnético con una temperatura de Néel ~ 40 K. El ancho de línea EPR muestra un 	
comportamiento paramagnético entre 100 y 600 K, mientras que el campo de resonancia y el factor g muestran una ligera 	
variación con la temperatura.
Artículo publicado en: Rev. LatinAm. Metal. Mat. 2012;  32 (2): 292-298
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<title>Propuesta interactiva para el aprendizaje de fenómenos eléctricos y magnéticos a nivel del ciclo diversificado y profesional.</title>
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<name>Briceño B., Jesús R.</name>
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<updated>2018-03-15T09:49:44Z</updated>
<published>2008-05-23T09:00:00Z</published>
<summary type="text">Propuesta interactiva para el aprendizaje de fenómenos eléctricos y magnéticos a nivel del ciclo diversificado y profesional.
Briceño B., Jesús R.; Rosario, Jesús; Lobo, Hebert; Gutiérrez, Gladys; Villarreal, Manuel; Díaz, Juan Carlos; Pineda, Francisco; Rivas, Yasmelis
Propuesta interactiva para el aprendizaje de fenómenos eléctricos y magnéticos a nivel del ciclo diversificado y profesional. 
Briceño, Jesús; Rosario, Jesús; Lobo, Hebert; Gutiérrez, Gladys; Villarreal, Manuel; Díaz, Juan Carlos; Pineda, Francisco y Rivas, Yasmelis


Resumen


El siguiente trabajo se plantea como objetivo central la exploración de una alternativa en formato electrónico para la Enseñanza de la Física que analice e interprete los fenómenos electrónicos y mágneticos (ciclo diversificado y profesional), teniendo como elementos primordiales el contenido de las nuevas corrientes educativas, considerando los nuevos modelos y herramientas surgidos para la enseñanza, así como también los avances tecnológicos y las otras perspectivas que estos ofrecen a la educación asistida por computadora y el desarrollo de páginas Web. La implementación de laboratorios virtuales y cursos interactivos, en un todo deacuerdo con la realidad del entorno local, es decir con una evaluación del proceso de enseñanza-aprendizaje, de los métodos y herramientas empleadas en dicho proceso que actualmente rige entre estudiantes y 

profesores de nuestros liceos, a fin de presentarles una alternativa que complemente y aclare ese proceso.



Interactive proposal for the learning of electrical and magnetic phenomena act level of the diversified and professional cycle. 
Briceño, Jesús; Rosario, Jesús; Lobo, Hebert; Gutiérrez, Gladys; Villarreal, Manuel; Díaz, Juan Carlos; Pineda, Francisco y Rivas, Yasmelis


Abstract


The present work conseders like central objetive the exploration of an alternative in electronic format for the learning of the Physics that analyzes and interprets the electric and magnetic phenomenon (diversified and professional cycle), having like fundamental elements the content of the new educational currents, considering the new models and tools arisen for teaching, as well as the technological advances and the new perspectives that these offer to the education attended by computer and the development of Web sites. Implementation of virtual laboratories and interactive courses, in a whole in agreement with the reality of the local surroundings, is to say with one evaluation of the teaching-learning process of the methods and tools used in that process which at the moment prevails between students and professors of our High schools in order to show then an alternative that complements and clarify process.


Artículo publicado en: Revista Académia Vol. V, (9); 26-33, enero - junio 2006.
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<dc:date>2008-05-23T09:00:00Z</dc:date>
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<title>Estudio de la magneto resistencia en el compuesto ternario Cu2GeSe3</title>
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<name>Fernández, Braulio J.</name>
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<updated>2018-03-15T09:49:51Z</updated>
<published>2008-05-23T09:00:00Z</published>
<summary type="text">Estudio de la magneto resistencia en el compuesto ternario Cu2GeSe3
Villarreal, Manuel; Fernández, Braulio J.
Estudio de la magneto resistencia en el compuesto ternario Cu2GeSe3 
Villarreal, Manuel y Fernández, Braulio J.


Resumen


En este trabajo presentamos el estudio de la magnetoresistencia Ap / po del compuesto ternario Cu2GeSe3 tipo-p en función de campo magnético, de 2 a 16 kG, y en un rango de temperaturas de 80 a 300 K. DEl ajuste de la magnetoresistencia se obtienen los valores de la movilidad de arrastre de los portadores, observandose una clara dependencia con la movilidad de Hall, donde el factor de Hall es cercano a la unidad.



Study of the magnetoresistence in the ternary compound Cu2GeSe3 
Villarreal, Manuel y Fernández, Braulio J.


Abstract


In this work we present the study of the magnetoresistance Ap / po of the ternary compound Cu2GeSe3 depending on magnetic field, from 2 to 16 kg, and in a range of temperatures from 80 to 300 K. Of the adjustment of the magnetoresistence there are obtained the values of the mobility if dragging of the carriers, a clear dependence being observed by Hall's mobility, where Hall's factor is near to the unit.


Artículo publicado en: Revista Ciencia 14 (3), julio - septiembre 2006, 309-312. Maracaibo, Venezuela.
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<dc:date>2008-05-23T09:00:00Z</dc:date>
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<title>Propiedades eléctricas y ópticas del compuesto ternario Cu2GeTe3</title>
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<name>Fernández, Braulio J.</name>
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<updated>2018-03-15T09:49:53Z</updated>
<published>2008-05-19T09:00:00Z</published>
<summary type="text">Propiedades eléctricas y ópticas del compuesto ternario Cu2GeTe3
Fernández, Braulio J.; Villarreal, Manuel
Propiedades eléctricas y ópticas del compuesto ternario Cu2GeTe3 
Fernández, Braulio J. y Villarreal, Manuel


Resumen


En este trabajo presentamos el estudio de la resistividad eléctrica, el coeficiente de Hall y la magnetoresistencia en finción de temperatura para el CU2GeTe3 tipo-p, en el rango de temperaturas desde 80 hasta 300 k y bajo un campo magnético de 15 kG. Del análisis de estos efectos se determinó que este compuesto presenta una conducción metálica. Una brecha de energía indirecta Ec=0,30 eV ha sido obtenida de la medida de la absorbancia óptica a temperatura ambiente.



Electrical and optical properties of the ternary compound Cu2GeTe3 
Fernández, Braulio J. y Villarreal, Manuel


Abstract


We report in this work the temperature dependence of the electrical resistivity, the Hall effect and the magnetoresistance on p-type CU2GeTe3 in the temperature range from 80 to 300 K and under a magnetic field of 15 kG. From the analysis of these effects we determined that this compound present a metalic conduction. An energy indirect gap 

Ec=0,30 eV has been obtained from optical absorbancy measurement at room temperature.


Artículo publicado en: Revista Ciencia 14 (3) 301-304. Maracaibo, Venezuela.
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<dc:date>2008-05-19T09:00:00Z</dc:date>
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<title>Síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3</title>
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<name>Villarreal, Manuel</name>
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<name>Pirela B., María E.</name>
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<name>Velásquez Velásquez, Ana</name>
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<name>Mora, Asiloé J.</name>
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<name>Fernández, Braulio J.</name>
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<name>Delgado, Gerzon</name>
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<updated>2018-03-14T00:48:19Z</updated>
<published>2008-03-27T09:00:00Z</published>
<summary type="text">Síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3
Villarreal, Manuel; Pirela B., María E.; Velásquez Velásquez, Ana; Mora, Asiloé J.; Fernández, Braulio J.; Delgado, Gerzon
Síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3 
Villarreal, Manuel ; Fernández, B.J.; Pirela, María; Velásquez-Velásquez, Ana; Mora, Asiloé J.; Delgado, Gerzon


Resumen


En este trabajo se presenta la síntesis y caracterización de los compuestos ternarios Cu2GeSe3 y Cu2GeTe3. Las muestras fueron sintetizadas utilizando la técnica de fusión directa. El análisis químico (EDX) permitió establecer las relaciones estequiométricas 2:1:3 para ambos compuestos. El análisis termo-diferencial (ATD) muestra la existencia de una fase única que funde a 765 °C para el Cu2GeSe3 y de una fase principal que funde a 504 °C para el Cu2GeTe3. En este último compuesto también se detecta una fase secundaria a 357 °C, pero con un área de pico menor del 5% del área total. El análisis por difracción de rayos-X indica que ambos compuestos cristalizan en el sistema ortorrómbico con grupo espacial Imm2 y parámetros de celda unidad: a = 11.8616(3) Å, b = 3.9525(1) Å, c = 5.4879(1) Å, V = 257.29(1) Å3 para Cu2GeSe3, y a = 12.6406(6) Å, b = 4.2115(2) Å, c = 5.9261(2) Å, V = 315.48(2) Å3 para Cu2GeTe3.



Abstract


This work reports the synthesis and characterization of the ternary compounds Cu2GeSe3 and Cu2GeTe3. Both samples were synthesized by using the direct fusion technique. The chemical analysis (EDX) confirmed the 2:1:3 stoichiometric ratio for both compounds. The thermal differential analysis (ATD) showed the existence of a single phase for Cu2GeSe3 that melts at 765 °C, and a principal phase for Cu2GeTe3 that melts at 504 °C. In the last compound, a second transition at 357 °C is also observed but with a peak area of less than 5% of total area, approximately. The X-ray powder diffraction analysis indicated that both compounds crystallize in the orthorhombic space group Imm2, with unit cell parameters: a = 11.8616(3) Å, b = 3.9525(1) Å, c = 5.4879(1) Å, V = 257.29(1) °A3 for Cu2GeSe3, and a = 12.6406(6) Å, b = 4.2115(2) Å, c = 5.9261(2) Å, V= 315.48(2) Å3 for Cu2GeTe3.


Artículo publicado en: Materia Condensada. Revista Mexicana de Física 49 Suplemento 3, 198-200 Noviembre 2003.
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<dc:date>2008-03-27T09:00:00Z</dc:date>
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<title>Síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3 dopado con galio.</title>
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<name>Pirela B., María E.</name>
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<name>Villarreal, Manuel</name>
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<name>Velásquez Velásquez, Ana</name>
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<name>Fernández, Braulio J.</name>
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<name>Vivas, L.</name>
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<name>Sánchez Pérez, Gerardo</name>
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<published>2008-03-27T09:00:00Z</published>
<summary type="text">Síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3 dopado con galio.
Pirela B., María E.; Villarreal, Manuel; Velásquez Velásquez, Ana; Fernández, Braulio J.; Vivas, L.; Sánchez Pérez, Gerardo
Síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3 dopado con galio.
Pirela B., María E.; Velásquez Velásquez, Ana; Villarreal, Manuel; Fernández, Braulio J.; Vivas, L. and Sánchez Pérez, Gerardo


Resumen


En este trabajo presentamos la síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3dopado con Galio (Ga). Las muestras fueron sintetizadas por fusión directa de sus elementos en estequiometria 2:1:3 con dopaje de Ga de 100, 1000 y 10000 ppm. El análisis químico (EDX) permitió establecer las relaciones estequiométricas. El análisis térmico diferencial (DTA) indica la existencia de una fase principal alrededor de 503±C asociado al punto de fusión de los materiales y un pico alrededor de 101±C aún sin interpretación. El análisis de difracción de rayos-X indica que el material Ag2SnSe3cristaliza con fase principal en el sistema monoclínico con grupo espacial Cc, y parámetros de celda unidad: a = 7.18 A, b = 10.55 A, c = 6.70 A, β= 111.98ºC, y segundas fases, siendo identificada hasta el momento SnSe2.


Abstract


In this work we report the synthesis and characterization of the ternary material Ag2SnSe3 doped with Gallium (Ga). The samples were synthesized by direct melting of their elements in stoichimetric 2:1:3 doped with 100, 1000 and 10000 ppm of Ga. The chemical analysis (EDX) allowed us to establish the stoichiometric relationships. The differential thermal analysis (DTA) indicates the existence of a main phase around 503±C associated to the melting point of the materials and a peak around 101±C, still without interpretation. The X-ray diffraction analysis indicates that the material Ag2SnSe3 crystallizes with main phase in the monoclinic system with space group Cc, and unit cell parameters: a = 7.18 A, b = 10.55 A, c = 6.70 A, β= 111.98ºC, and second phases, being identified until the moment SnSe2.

Artículo publicado en: Revista Mexicana de Física 53 (7) 262-264
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<dc:date>2008-03-27T09:00:00Z</dc:date>
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<title>Electrical properties of the ternary compound Cu2GeSe3.</title>
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<name>Villarreal, Manuel</name>
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<name>Fernández, Braulio J.</name>
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<name>Pirela B., María E.</name>
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<name>Velásquez Velásquez, Ana</name>
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<updated>2018-03-15T09:49:47Z</updated>
<published>2008-03-27T09:00:00Z</published>
<summary type="text">Electrical properties of the ternary compound Cu2GeSe3.
Villarreal, Manuel; Fernández, Braulio J.; Pirela B., María E.; Velásquez Velásquez, Ana
Electrical properties of the ternary compound Cu2GeSe3. 
Villarreal, Manuel; Fernández, Braulio J.; Pirela B., María E. and Velásquez Velásquez, Ana


Resumen


We report in this work the temperature dependence of the electrical resistivity and the Hall effect on p-type Cu2GeSe3 in the temperature range from 80 to 300 K and under a magnetic field of 15 kG. The data is analysed assuming the two-band conductivity model, that is, the impurity band and the valence band. Employing this model we were able to obtain the temperature dependence of the ratio between the charge carrier concentrations in both bands. From the analysis of the carrier concentration in the valence-band pvand the impurity-band pa, the ionization energy is estimated to be around 26 meV. The mobility temperature dependence is analyzed by taking into account the scattering of charge carriers by acoustic phonons, polar optic phonons and thermally activated hopping. From the analysis, the activation energy is estimated to be around 18 meV.



Abstract


En este trabajo presentamos la dependencia de la resistividad eléctrica y el coeficiente de Hall del compuesto Cu2GeSe3 tipo-p,en función de la temperatura desde 80 hasta 300 K y bajo un campo magnético de 15 kG. Los resultados son analizados considerando el modelo de conductividad de dos bandas, esto es, la banda de impurezas y la banda de valencia. Utilizando este modelo, obtenemos la dependencia de la razón de las concentraciones de portadores de carga en ambas bandas, en función de la temperatura. Del análisis de la concentración de portadores en la banda de valencia pv y la banda de impurezas pa, la energía de ionización determinada es aproximadamente 26 meV. La dependencia de la movilidad con la temperatura es analizada tomando en cuenta los diferentes procesos de scattering de los portadores de carga con los fonones acústicos, fonones ópticos polares y hopping térmicamente activado. Del análisis, la energ´ia de activación determinada es aproximadamente 18 meV.


Artículo publicado en: Revista Mexicana de Física 53 (7) 303-306.
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<dc:date>2008-03-27T09:00:00Z</dc:date>
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<title>Fundamentos de protección radiológica.</title>
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<name>Ramos Nuñez, Oswaldo</name>
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<name>Villarreal, Manuel</name>
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<updated>2018-03-15T09:49:46Z</updated>
<published>2008-03-27T09:00:00Z</published>
<summary type="text">Fundamentos de protección radiológica.
Ramos Nuñez, Oswaldo; Villarreal, Manuel
Fundamentos de protección radiológica.
(Ramos Ojeda, Oswaldo y Villarreal, Manuel)  

Resumen

En nuestro País crece a un paso acelerado el uso de los equipos generadores de radiaciones ionizantes en las aplicaciones médicas como técnica de diagnóstico, inclusive hoy día en el sector público. El uso de las radiaciones ionizantes esta sujeto a regulaciones por parte de las Autoridades Nacionales, siendo el Ministerio del Poder Popular para la Salud quien tiene competencia en la práctica médica. Dentro de los requisitos exigidos por las Autoridades Nacionales para autorizar las prácticas que involucran equipos generadores de radiaciones ionizantes, se encuentra la capacitación del Personal Ocupacionalmente Expuesto (POE), esto es, Médicos Radiólogos/Imagenólogos y Técnicos Radiólogos. El propósito de este trabajo es introducir al POE en los principios de la protección radiológica e instruirlo en las técnicas de protección radiológica.

Artículo publicado en: Revista electrónica Radiobiología 7. (2007) 174-177.
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<dc:date>2008-03-27T09:00:00Z</dc:date>
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<title>Structural refinement of the ternary chalcogenide compound Cu2GeTe3 by X-ray powder diffraction</title>
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<name>Delgado, Gerzon</name>
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<name>Villarreal, Manuel</name>
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<name>Pirela B., María E.</name>
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<name>Velásquez Velásquez, Ana</name>
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<name>Mora, Asiloé J.</name>
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<name>Fernández, Braulio J.</name>
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<updated>2018-03-15T09:49:49Z</updated>
<published>2007-03-28T09:00:00Z</published>
<summary type="text">Structural refinement of the ternary chalcogenide compound Cu2GeTe3 by X-ray powder diffraction
Delgado, Gerzon; Villarreal, Manuel; Pirela B., María E.; Velásquez Velásquez, Ana; Mora, Asiloé J.; Fernández, Braulio J.
Structural refinement of the ternary chalcogenide compoundCu2GeTe3 by X-ray powder diffraction 
Delgado, Gerzon E.; Mora, Asiloé J.; Pirela, María, Velásquez-Velásquez, Ana,
Villarreal, Manuel; Fernández, Braulio J.


Abstract


The Cu2GeTe3 compound crystallizes in the Imm2 (N° 44) space group, Z = 2, with a = 12.641(1) Å, b = 4.2115(2) Å, c = 5.9261(2) Å, V = 315.49(3) Å3. Its structure was refined from X-ray powder diffraction data using the Rietveld method. The refinement of 23 instrumental and structural variables led to Rp = 8.2%, Rwp = 11.6%, Rexp = 6.8%, RB = 11.2 % and S = 1.7, for 5501 step intensities and 253 independent reflections. This compound is isostructural with Cu2GeSe3, and consists of a three-dimensional arrangement of slightly distorted CuTe4 and GeTe4 tetrahedra connected by common corners..
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<dc:date>2007-03-28T09:00:00Z</dc:date>
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