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Propiedades ópticas del sistema semiconductor Cu2(1-x)AgG2xeSe3
dc.rights.license | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ve/ | |
dc.contributor.author | Calderón Quintero, Ernesto | |
dc.contributor.author | Villarreal, Manuel | |
dc.contributor.author | Fernández, Braulio J. | |
dc.contributor.author | Salas, Menjamin | |
dc.contributor.author | Pérez Araujo, José Fernando | |
dc.contributor.author | Nieves, Luis | |
dc.date.accessioned | 2014-03-29T22:47:47Z | |
dc.date.available | 2014-03-29T22:47:47Z | |
dc.date.issued | 2013 | |
dc.identifier.uri | http://www.saber.ula.ve/handle/123456789/38264 | |
dc.description | Artículo publicado en: Rev. LatinAm. Metal. Mat. 2013; 33 (2): 265-271 | es_VE |
dc.description.abstract | En este trabajo hemos investigado las propiedades ópticas en la aleación Cu2(1-x)AgG2xeSe3 midiendo el borde fundamental de absorción en función de la temperatura para la concentración x = 0 en el rango de 10 hasta 300 K y para las concentraciones x = 0.25, 0.5, 0.75, 1 a temperatura ambiente. La brecha de energía para todas las concentraciones fue calculada utilizando el modelo de Elliot-Toyozawa. La dependencia lineal cerca del borde fundamental confirma que todos los compuestos a las diferentes concentraciones poseen un carácter semiconductor y presentan una brecha de energía directa en el infrarrojo cercano a temperatura y presión ambiente. El compuesto Cu GeSe presenta un incremento de la brecha de energía a medida que la temperatura disminuye. Este comportamiento depende principalmente de tres efectos que se generan a bajas temperaturas: expansión térmica, interacción electrón-fonón y efecto del factor Debye-Waller. Las curvas de la brecha de energía en función de la temperatura para este compuesto fueron ajustadas a un modelo semiempírico que considera dos de los tres efectos nombrados anteriormente cuyo comportamiento es similar a los observados en los semiconductores de las familias Cu-III-VI y Cu -IV-VI . Con respecto al estudio de la variación de la brecha de energía en función de las concentraciónes, x = 0, 0.25, 0.5 y 1 a temperatura y presión ambiente, no se encuentran reportes hasta el momento. El sistema Cu2(1-x)AgG2xeSe3 presenta una concavidad hacia arriba en la curva de la brecha de energía óptica en función de la concentración descrita por una ecuación tipo Eg(x)= a + bx + cx2. | es_VE |
dc.language.iso | es | es_VE |
dc.publisher | Rev. LatinAm. Metal. Mat. 2013; 33 (2) | es_VE |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.subject | Aleación de materiales semiconductores | es_VE |
dc.subject | Absorción óptica | es_VE |
dc.subject | Brecha de energía | es_VE |
dc.subject | Expansión térmica | es_VE |
dc.subject | Interacción electrón fonón | es_VE |
dc.title | Propiedades ópticas del sistema semiconductor Cu2(1-x)AgG2xeSe3 | es_VE |
dc.title.alternative | Optical properties of the semiconductors system Cu2(1-x)AgG2xeSe3 | es_VE |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | |
dc.description.colacion | 265-271 | es_VE |
dc.description.email | saernest@ula.ve, cernesto63@hotmail.com | es_VE |
dc.description.email | mavu@ula.ve | es_VE |
dc.description.email | braulio@ula.ve | es_VE |
dc.description.email | josperez@ula.ve | es_VE |
dc.subject.facultad | Núcleo Rafael Rangel (NURR) | es_VE |
dc.subject.thematiccategory | Física | es_VE |
dc.subject.tipo | Artículos | es_VE |
dc.type.media | Texto | es_VE |
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